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| P/NO | BRAND | QTY | SPEC | Image | |
| MGFC39V5964-61 | MITSUBISHI | 5 | C Band Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 5.9-6.4 Ghz 8W [21x12.9x4.5mm] {CQ23(防潮箱)} |
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| MGFC39V6472A-01 | MITSUBISHI | 1 | C Band Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 6.4-7.2 Ghz 8W [21x12.9x4.5mm] {AE3} |
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| MGFC39V7785A-61 | MITSUBISHI | 5 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) |
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| MGFC42V3436-51 | MITSUBISHI | 1 | C Band Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 3.4-3.6 Ghz 16W [24x17.4x4mm] {AE3} |
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| MGFC4419G-A03 | MITSUBISHI | 16 | InGaAs HEMT Chip (特殊晶體) |
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| MGFC44A3742S | MITSUBISHI | 2 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 3.7-4.2 Ghz [24x17.4x4.3mm] {AEˇ} |
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| MGFC44V3436-51 | MITSUBISHI | 2 | C Band Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 3.4-3.6 GHz 25W [24x17.4x4.3mm] {AE3} |
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| MGFC44V3742CS | MITSUBISHI | 1 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 3.7-4.2 Ghz [18.8x17.6x4.2mm] {AE3} |
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| MGFC45V5053A-51 | MITSUBISHI | 3 | C Band Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 5.05-5.25 GHz 32W [24x17.4x4.3mm] {AE3} |
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| MGFC45V5964A-21 | MITSUBISHI | 3 | C Band Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 5.9-6.4 GHz 32W [24x17.4x4.3mm] {AE3} |
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| MGFC45V6472A-01 | MITSUBISHI | 5 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) |
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| MGFK33V4045-01 | MITSUBISHI | 10 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) |
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| MGFK35V4045-01 | MITSUBISHI | 4 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) |
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| MGFL44V1516S | MITSUBISHI | 1 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 1.5-1.6 Ghz [24x17.4x4.3mm] {AE3} |
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| MGFL45V1920-51 | MITSUBISHI | 1 | Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 1.9-2.0 Ghz 32W [24x17.4x4.3mm] {AE3} |
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| MGFS45V2123-52 | MITSUBISHI | 5 | Internally Matched Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 2.1-2.3 Ghz 30W [24x17.4x4.3mm] 1Pc/Box {AE3} |
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| MGFS48V2527-01 | MITSUBISHI | 2 | Push-Pull Type Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) 2.5-2.7 Ghz 60W [24x17.4x3.5mm] {AE3} |
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| MGFX35V0510-22 | MITSUBISHI | 5 | RF Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET), X Band, N-Channel 10.5-10.8 Ghz 27W [16x6.4x3.0mm] {CQ23(防潮箱)} |
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| MGFX35V0510-52 | MITSUBISHI | 1 | RF Power Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET), X Band, N-Channel 10.5-10.8 Ghz 27W [16x6.4x3.0mm] {AE3} |
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| MGFX36V071761 | MITSUBISHI | 5 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) |
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| MGFX39V0717-61 | MITSUBISHI | 5 | Gallium Arsenide Field-Effect Transistor (GaAsFET) |
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| MGW12N120 | MOTOROLA | 10 | TO-247AE
TUBE |
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| MGY25N120CX | MOTOROLAA | 25 | TO-3P
TUBE |
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| MHW5181 | MOTOROLA | 1 | AMPLIFIER(特殊) |
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| MHW5182 | MOTOROLA | 1 | AMPLIFIER(特殊) |
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| MHW5342 | MOTOROLA | 1 | AMPLIFIER(特殊) |
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| MHW7292 | MOTOROLA | 2 | AMPLIFIER(特殊) |
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| MHW804-2 | MOTOROLA | 24 | 晶體7P |
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| MIC2177BWM | MICREL | 360 | SOP20P |
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| MIC2525-1BM | MICREL | 1726 | SOP-8 |
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| MIC2525-2BM | MICREL | 40 | SOP-8 |
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| MIC2525-2BM | MICREL | 356 | SOP-8 |
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| MIC2526-1BM | MICREL | 124 | SOP-8 |
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| MIC2526-2BN | MICREL | 39 | DIP-8 |
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| MIC2526-2BN | MICREL | 2030 | DIP-8 50/TUBE |
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| MIC2527-2BWM | MICREL | 512 | SOP-16 |
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| MIC2560-0BWM | MICREL | 56 | SOP-16 |
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| MIC2562A-1BM | MICREL | 1858 | SOP14 |
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| MIC2562A-1BM | MICREL | 30 | SOP-14 |
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| MIC2562A-1BM | MICREL | 50 | SOP-14 |
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| MIC2562A-1BM | MICREL | 75 | SOP-14 |
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| MIC2778-1BM5-TR | MICREL | 4007 | SOT-25 |
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| MIC29150-5.0BT | MICREL | 97 | TO220 Linear Voltage Regulator 5V 1.5A |
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| MIC29204BM | MICREL | 95 | SOP8
TUBE |
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| MIC29312BT | MIRCEL | 25 | TO220-5P
TUBE |
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| MIC3172BM-TR | MICREL | 2309 | SOP-8 2.5K/REEL |
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| MIC38C43BN | MICREL | 40 | DIP-8 |
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| MIC4574BWM | MICREL | 35 | SOP-14 |
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| MIC49150BR-TR | MICREL | 187 | TO263-5 |
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| MIC5156BM | MICREL | 160 | SOP-8 |
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